창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LD1117AS12-TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LD1117AS12-TR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-223 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LD1117AS12-TR | |
| 관련 링크 | LD1117A, LD1117AS12-TR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2X7R1H473K080AD | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X7R1H473K080AD.pdf | |
![]() | LP150F35CDT | 15MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP150F35CDT.pdf | |
![]() | SIT8008BCU23-33E-50.00000D | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT8008BCU23-33E-50.00000D.pdf | |
![]() | NSB8KTHE3/81 | DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | NSB8KTHE3/81.pdf | |
![]() | ERA-6APB753V | RES SMD 75K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6APB753V.pdf | |
![]() | T318F800TSL | T318F800TSL AEG SMD or Through Hole | T318F800TSL.pdf | |
![]() | TCBS-10-01 | TCBS-10-01 RICHCO TCBSSeriesNylon.6 | TCBS-10-01.pdf | |
![]() | S3GHE3/57T | S3GHE3/57T VISHAY DO214AB | S3GHE3/57T.pdf | |
![]() | MP4021. | MP4021. TOSHIBA SMD or Through Hole | MP4021..pdf | |
![]() | ADM6384YKS29D3-RL7 | ADM6384YKS29D3-RL7 ADI SC70 | ADM6384YKS29D3-RL7.pdf | |
![]() | DLZ4.3B | DLZ4.3B Micro MINIMELF | DLZ4.3B.pdf | |
![]() | 82A1A-B24-A13L | 82A1A-B24-A13L bourns DIP | 82A1A-B24-A13L.pdf |