창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LAR2G271MELB30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LAR Series Snap-In Terminal, Terminal-Shape | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | LAR | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 270µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 400V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.22A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.181"(30.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 493-8056 LAR2G271MELB30-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LAR2G271MELB30 | |
관련 링크 | LAR2G271, LAR2G271MELB30 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
SMBJ110AE3/TR13 | TVS DIODE 110VWM 177VC SMBJ | SMBJ110AE3/TR13.pdf | ||
416F40033ASR | 40MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40033ASR.pdf | ||
CPR201R300JE10 | RES 1.3 OHM 20W 5% RADIAL | CPR201R300JE10.pdf | ||
DHM3X40 | DHM3X40 HITACHI SMD or Through Hole | DHM3X40.pdf | ||
028N03LS | 028N03LS INFINEON SON-8 | 028N03LS.pdf | ||
LS14250 | LS14250 SAFT SMD or Through Hole | LS14250.pdf | ||
MN1874033QAR | MN1874033QAR PAN SMD or Through Hole | MN1874033QAR.pdf | ||
G94B/I+3Y | G94B/I+3Y IDEAINC SMD or Through Hole | G94B/I+3Y.pdf | ||
LT1529CQ#PBF | LT1529CQ#PBF LINEARTECHNOLOGY D2Pak TO-263 5 | LT1529CQ#PBF.pdf | ||
216Q9NABGA12FH/M9-CSP32 | 216Q9NABGA12FH/M9-CSP32 ATI BGA648 | 216Q9NABGA12FH/M9-CSP32.pdf | ||
IDT74LVC04DC | IDT74LVC04DC IDT SSOP | IDT74LVC04DC.pdf | ||
M29040 | M29040 NS SOP8 | M29040.pdf |