창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-LAH-63V332MS1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | LAH-63V332MS1 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | LAH-63V332MS1 | |
관련 링크 | LAH-63V, LAH-63V332MS1 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
1206Y6300333KST | 0.033µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206Y6300333KST.pdf | ||
1825AC223MAT3A\SB | 0.022µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825AC223MAT3A\SB.pdf | ||
BFC236851393 | 0.039µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC236851393.pdf | ||
416F37412CDR | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37412CDR.pdf | ||
FS8M | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO277-3 | FS8M.pdf | ||
AS3PG-M3/87A | DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A | AS3PG-M3/87A.pdf | ||
IRL620STRR | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | IRL620STRR.pdf | ||
APT1201R4BLL | APT1201R4BLL APT SMD or Through Hole | APT1201R4BLL.pdf | ||
MC100E145FNR2 | MC100E145FNR2 ON PLCC-28 | MC100E145FNR2.pdf | ||
MBI5168CP(T) | MBI5168CP(T) Toshiba SOP DIP | MBI5168CP(T).pdf | ||
CA05P4S17ALCGK2 | CA05P4S17ALCGK2 EPCOS SMD or Through Hole | CA05P4S17ALCGK2.pdf |