- LA8630AM-TE-L
LA8630AM-TE-L 가격 및 조달
가능 수량
31040 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 LA8630AM-TE-L 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. LA8630AM-TE-L 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LA8630AM-TE-L가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- LA8630AM-TE-L 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
LA8630AM-TE-L 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-LA8630AM-TE-L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LA8630AM-TE-L | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-16P | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LA8630AM-TE-L | |
| 관련 링크 | LA8630A, LA8630AM-TE-L 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
LA8630AM-TE-L 의 관련 제품
 | GBU408-G | RECTIFIER BRIDGE 4A 800V GBU | GBU408-G.pdf | |
 | 1N6483-E3/96 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | 1N6483-E3/96.pdf | |
 | SI4952DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | SI4952DY-T1-GE3.pdf | |
 | SI2347DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23 | SI2347DS-T1-GE3.pdf | |
| HTCL-2022 | HTCL-2022 AGILENT DIP | HTCL-2022.pdf | |
| FAR-F6KA-1G9000-D4DS | FAR-F6KA-1G9000-D4DS FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F6KA-1G9000-D4DS.pdf | |
| XCSG10TQG144-3C | XCSG10TQG144-3C XILINX QFP144 | XCSG10TQG144-3C.pdf | |
| Y4C3N101J500 | Y4C3N101J500 ORIGINAL SMD | Y4C3N101J500.pdf | |
| 11J-S | 11J-S KSSWIRING SMD or Through Hole | 11J-S.pdf | |
| N82C284 | N82C284 INTEL PLCC20 | N82C284.pdf | |
| CXR706080-702GG | CXR706080-702GG ORIGINAL SMD or Through Hole | CXR706080-702GG.pdf |