창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-LA3330 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | LA3330 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | LA3330 | |
관련 링크 | LA3, LA3330 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
P0597NLT | Unshielded 2 Coil Inductor Array 22.8µH Inductance - Connected in Series 5.7µH Inductance - Connected in Parallel 2.5 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 27A Nonstandard | P0597NLT.pdf | ||
KH25L8005M2C5G | KH25L8005M2C5G KH SOP8 | KH25L8005M2C5G.pdf | ||
F252W | F252W ORIGINAL DIP-14 | F252W.pdf | ||
GS41-251M | GS41-251M RUILONG SMD | GS41-251M.pdf | ||
NSTL392M350V64X119P2F | NSTL392M350V64X119P2F NIC DIP | NSTL392M350V64X119P2F.pdf | ||
4.7UF M/10V 2012 (TEESVP1A475M8R) | 4.7UF M/10V 2012 (TEESVP1A475M8R) NEC P2012 | 4.7UF M/10V 2012 (TEESVP1A475M8R).pdf | ||
1827282 | 1827282 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1827282.pdf | ||
3.9K(3901)±1%1206 | 3.9K(3901)±1%1206 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.9K(3901)±1%1206.pdf | ||
UM2148-1 | UM2148-1 UM DIP | UM2148-1.pdf | ||
CD5406F3A | CD5406F3A HAR/TI CDIP | CD5406F3A.pdf | ||
1757349 | 1757349 PH SMD or Through Hole | 1757349.pdf |