창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-L6561ADT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | L6561ADT | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | L6561ADT | |
| 관련 링크 | L656, L6561ADT 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | 1N5384A/TR8 | DIODE ZENER 160V 5W T18 | 1N5384A/TR8.pdf | |
![]() | 4922-29H | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 1.58 Ohm Max 2-SMD | 4922-29H.pdf | |
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![]() | DS1100Z-100+TR | DS1100Z-100+TR MAX SOIC-8 | DS1100Z-100+TR.pdf | |
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![]() | 2SD1991A-R(TA) | 2SD1991A-R(TA) ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD1991A-R(TA).pdf | |
![]() | ENV56DB4G3S | ENV56DB4G3S ORIGINAL SMD or Through Hole | ENV56DB4G3S.pdf | |
![]() | 2N6788JANTX | 2N6788JANTX IR CN3 | 2N6788JANTX.pdf | |
![]() | RV6SAYSA103B | RV6SAYSA103B PEC SMD or Through Hole | RV6SAYSA103B.pdf | |
![]() | K4D55323QF-VC33 | K4D55323QF-VC33 SAMSUNG BGA | K4D55323QF-VC33.pdf |