창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-L6122583 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | L6122583 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | L6122583 | |
| 관련 링크 | L612, L6122583 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D5R6DLCAC | 5.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R6DLCAC.pdf | |
![]() | GRM2166S1H430JZ01D | 43pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166S1H430JZ01D.pdf | |
![]() | 416F26023AKR | 26MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26023AKR.pdf | |
![]() | FDN308P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 | FDN308P.pdf | |
![]() | MBH10145C-150MA=P3 | 15µH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 48 mOhm Nonstandard | MBH10145C-150MA=P3.pdf | |
![]() | CT6V104N | CT6V104N GCELECTRONICS SMD or Through Hole | CT6V104N.pdf | |
![]() | UT134FL-5 | UT134FL-5 UTC/ TO-126 | UT134FL-5.pdf | |
![]() | 89CNQ150APBF | 89CNQ150APBF IR TO-247 | 89CNQ150APBF.pdf | |
![]() | APXA6R3ARA470ME60G | APXA6R3ARA470ME60G NIPPON SMD or Through Hole | APXA6R3ARA470ME60G.pdf | |
![]() | 2SC1507BSTU | 2SC1507BSTU sam SMD or Through Hole | 2SC1507BSTU.pdf | |
![]() | FMC0H104ZF | FMC0H104ZF NEC/TOKIN SMD or Through Hole | FMC0H104ZF.pdf | |
![]() | XC3S1000-4FG456CES | XC3S1000-4FG456CES XILINX BAG | XC3S1000-4FG456CES.pdf |