창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-L50S275.V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Traditional High Speed Fuses | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | 전기, 특수 퓨즈 | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | POWR-GARD® L50S | |
| 포장 | 벌크 | |
| 퓨즈 유형 | 카트리지 | |
| 정격 전류 | 275A | |
| 정격 전압 - AC | 500V | |
| 정격 전압 - DC | 450V | |
| 응답 시간 | 고속 | |
| 응용 제품 | 반도체 | |
| 특징 | - | |
| 등급 | - | |
| 승인 | CE, CSA, UR | |
| 작동 온도 | - | |
| 차단 용량 @ 정격 전압 | 200kA AC, 20kA DC | |
| 실장 유형 | 볼트 실장 | |
| 패키지/케이스 | 원통형, 블레이드 단자(볼트) | |
| 크기/치수 | 1.500" Dia x 2.094" L(38.10mm x 53.20mm) | |
| 용해 I²t | - | |
| DC 내한성 | - | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | L50S275 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | L50S275.V | |
| 관련 링크 | L50S2, L50S275.V 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | NOJT226M004RWJ | 22µF Niobium Oxide Capacitor 4V 1210 (3528 Metric) 1.8 Ohm ESR | NOJT226M004RWJ.pdf | |
![]() | GL060F33CET | 6MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL060F33CET.pdf | |
![]() | 445A32L14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32L14M31818.pdf | |
![]() | CMF552K6100BEEA | RES 2.61K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF552K6100BEEA.pdf | |
![]() | Y0007222R390B9L | RES 222.39 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0007222R390B9L.pdf | |
![]() | HP6433337FPWA12H | HP6433337FPWA12H HITACHI QFP | HP6433337FPWA12H.pdf | |
![]() | LTA460HA07 | LTA460HA07 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTA460HA07.pdf | |
![]() | 873-903/VE00-0500 | 873-903/VE00-0500 WGO SMD or Through Hole | 873-903/VE00-0500.pdf | |
![]() | 520C792T350DP2B | 520C792T350DP2B CDE DIP | 520C792T350DP2B.pdf | |
![]() | NACY471M6.3V8X10.5TR13F | NACY471M6.3V8X10.5TR13F NICCOMP SMD | NACY471M6.3V8X10.5TR13F.pdf | |
![]() | CBL2012T100M-T | CBL2012T100M-T TAIYO SMD | CBL2012T100M-T.pdf |