창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-L3N4ED-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | L3N4ED-E | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | ROHS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | L3N4ED-E | |
| 관련 링크 | L3N4, L3N4ED-E 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | RGEF600-1 | POLYSWITCH PTC RESET 6A HOLD | RGEF600-1.pdf | |
| AA-16.000MENQ-T | 16MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-16.000MENQ-T.pdf | ||
![]() | DMG4466SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | DMG4466SSS-13.pdf | |
![]() | HM66A-0745151MLF13 | 150µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 580 mOhm Max Nonstandard | HM66A-0745151MLF13.pdf | |
![]() | HVR50D82M5J | RES CHAS MNT 82.5M OHM 5% 100W | HVR50D82M5J.pdf | |
![]() | 4816P-1-100LF | RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SOIC | 4816P-1-100LF.pdf | |
![]() | XC2V2000BF957-5C | XC2V2000BF957-5C XILINX BGA | XC2V2000BF957-5C.pdf | |
![]() | XP22565-HKPMM | XP22565-HKPMM NXP QFP | XP22565-HKPMM.pdf | |
![]() | 37241316217 | 37241316217 loranger SMD or Through Hole | 37241316217.pdf | |
![]() | KS57C2308-46 | KS57C2308-46 SAMSUNC SMD or Through Hole | KS57C2308-46.pdf | |
![]() | 88E1011-BAB1 | 88E1011-BAB1 MARVELL BGA | 88E1011-BAB1.pdf | |
![]() | MAX998EUT+ | MAX998EUT+ MAXM SMD or Through Hole | MAX998EUT+.pdf |