창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-KVR667D2N5 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DIMM) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | KVR667D2N5 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DIMM) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | KVR667D2N5 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DIMM) | |
| 관련 링크 | KVR667D2N5 (DDR2/ 1G/ , KVR667D2N5 (DDR2/ 1G/ 667/ Long-DIMM) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D0R1CLAAC | 0.10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R1CLAAC.pdf | |
![]() | 572D686X96R3S2T | 68µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 1206 (3216 Metric) 900 mOhm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | 572D686X96R3S2T.pdf | |
![]() | 1N5224B-TR | DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | 1N5224B-TR.pdf | |
![]() | RN112-0.5-02 | 27mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 500mA (Typ) DCR 1.25 Ohm (Typ) | RN112-0.5-02.pdf | |
![]() | F930J686MVC | F930J686MVC Nichicon SMD | F930J686MVC.pdf | |
![]() | K4F151611C-JC60 | K4F151611C-JC60 SAMSUNG SOJ | K4F151611C-JC60.pdf | |
![]() | DTS-10/0 | DTS-10/0 Feryster SMD or Through Hole | DTS-10/0.pdf | |
![]() | BU5799F-T1 | BU5799F-T1 ROHM SOP-5.2-18P | BU5799F-T1.pdf | |
![]() | MK14651N-05 | MK14651N-05 SGS SMD or Through Hole | MK14651N-05.pdf | |
![]() | P2NK100Z | P2NK100Z ST TO-220 | P2NK100Z.pdf | |
![]() | ADG439FBRU | ADG439FBRU AD SOP16 | ADG439FBRU.pdf | |
![]() | HY27US08561B-TPCB | HY27US08561B-TPCB MAXIM SOD-323 | HY27US08561B-TPCB.pdf |