창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-KST42MTF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | KST42-KST43 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1595 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 300V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 50MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | KST42MTFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | KST42MTF | |
| 관련 링크 | KST4, KST42MTF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | C901U102MVVDCAWL40 | 1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U102MVVDCAWL40.pdf | |
![]() | 416F32022IKT | 32MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022IKT.pdf | |
![]() | SIT1602AC-32-33E-24.576000Y | OSC XO 3.3V 24.576MHZ OE | SIT1602AC-32-33E-24.576000Y.pdf | |
![]() | DS10P10 | DS10P10 RF SMD or Through Hole | DS10P10.pdf | |
![]() | HSM320J | HSM320J Microsemi SMCDO-214AB | HSM320J.pdf | |
![]() | DRGS1205 | DRGS1205 DEXU DIP | DRGS1205.pdf | |
![]() | VC040214X300RW | VC040214X300RW AVX SMD | VC040214X300RW.pdf | |
![]() | H1I-547-2 | H1I-547-2 HARRAS CDIP | H1I-547-2.pdf | |
![]() | RT5370N | RT5370N RALINK SMD or Through Hole | RT5370N.pdf | |
![]() | TCSCN1V334KAAR | TCSCN1V334KAAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCN1V334KAAR.pdf | |
![]() | LAA67F-V2AB-24-1-Z-VL | LAA67F-V2AB-24-1-Z-VL OSRAM REEL | LAA67F-V2AB-24-1-Z-VL.pdf |