창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-KSC1009YTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | KSC1009 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Lead Frame 12/Oct/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 700mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 140V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 700mV @ 20mA, 200mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 50MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | KSC1009YTA-ND KSC1009YTATB | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | KSC1009YTA | |
| 관련 링크 | KSC100, KSC1009YTA 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ABM3-12.288MHZ-B4Y-T | 12.288MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3-12.288MHZ-B4Y-T.pdf | |
![]() | SIT1602AI-32-33S-30.000000T | OSC XO 3.3V 30MHZ ST | SIT1602AI-32-33S-30.000000T.pdf | |
![]() | MBB02070C1023FRP00 | RES 102K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1023FRP00.pdf | |
![]() | 0553-0013-13-F | 0553-0013-13-F BEL DIP-6 | 0553-0013-13-F.pdf | |
![]() | TCV6001U | TCV6001U NA SOP | TCV6001U.pdf | |
![]() | CPY201209T-4R7M-N | CPY201209T-4R7M-N ORIGINAL SMD or Through Hole | CPY201209T-4R7M-N.pdf | |
![]() | 71005AE X | 71005AE X INTERSIL SOIC | 71005AE X.pdf | |
![]() | SIP-1T-12 | SIP-1T-12 OKITA SMD or Through Hole | SIP-1T-12.pdf | |
![]() | LTE21009S | LTE21009S NXP SMD or Through Hole | LTE21009S.pdf | |
![]() | 517D477M6R3BB6AE3 | 517D477M6R3BB6AE3 vishay DIP | 517D477M6R3BB6AE3.pdf | |
![]() | LA3-10V223MS33 | LA3-10V223MS33 ELNA DIP | LA3-10V223MS33.pdf | |
![]() | FT0410BI | FT0410BI FAGOR TO-251 | FT0410BI.pdf |