창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-KME100VB10MBP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | KME100VB10MBP | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | KME100VB10MBP | |
관련 링크 | KME100V, KME100VB10MBP 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | ASTMHTV-120.000MHZ-ZK-E | 120MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-120.000MHZ-ZK-E.pdf | |
![]() | 3094R-822JS | 8.2µH Unshielded Inductor 130mA 3 Ohm Max 2-SMD | 3094R-822JS.pdf | |
![]() | 24AA32A-I/SM | 24AA32A-I/SM MICROCHIP dip sop | 24AA32A-I/SM.pdf | |
![]() | XC6219B311MR(LBOx) | XC6219B311MR(LBOx) TOREX SMD or Through Hole | XC6219B311MR(LBOx).pdf | |
![]() | NAND02GW3B2CE06 | NAND02GW3B2CE06 SMD/DIP ST | NAND02GW3B2CE06.pdf | |
![]() | 19-213/TID-AP1Q1B5Y/3T | 19-213/TID-AP1Q1B5Y/3T N/A SMD or Through Hole | 19-213/TID-AP1Q1B5Y/3T.pdf | |
![]() | ESB106M025AE3AA | ESB106M025AE3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESB106M025AE3AA.pdf | |
![]() | LM2940CT-12+ | LM2940CT-12+ NSC SMD or Through Hole | LM2940CT-12+.pdf | |
![]() | LT3741EUF#PBF/I | LT3741EUF#PBF/I LT QFN | LT3741EUF#PBF/I.pdf | |
![]() | MT8LSDT864AG10EB4/MT48LC8M8 | MT8LSDT864AG10EB4/MT48LC8M8 MTC DIMM | MT8LSDT864AG10EB4/MT48LC8M8.pdf |