창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-KBU8M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | KBU8J~8M BR-3,6,8,10; KBPC-W;KBU Pkg Dwg | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 1000V | |
전류 - DC 순방향(If) | 8A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-SIP, KBU | |
공급 장치 패키지 | KBU | |
표준 포장 | 300 | |
다른 이름 | 1242-1284 KBU8MGN KBU8MGN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | KBU8M | |
관련 링크 | KBU, KBU8M 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ESK108M025AH4AA | 1000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ESK108M025AH4AA.pdf | |
AT-13.560MDHE-T | 13.56MHz ±20ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-13.560MDHE-T.pdf | ||
![]() | 1N4989 | DIODE ZENER 200V 5W AXIAL | 1N4989.pdf | |
![]() | CNB2B9ZTTE102J | CNB2B9ZTTE102J KOA SMD | CNB2B9ZTTE102J.pdf | |
![]() | 10D-48S12N | 10D-48S12N YDS SIP | 10D-48S12N.pdf | |
![]() | DS34L867N | DS34L867N NS DIP | DS34L867N.pdf | |
![]() | 04026D104KATN | 04026D104KATN AVX SMD or Through Hole | 04026D104KATN.pdf | |
![]() | K4T56043QF-GCD5 | K4T56043QF-GCD5 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4T56043QF-GCD5.pdf | |
![]() | SASF313-018-1-C AS | SASF313-018-1-C AS AMPHENOL DIP | SASF313-018-1-C AS.pdf | |
![]() | AN79Q5457JC | AN79Q5457JC AMD PLCC | AN79Q5457JC.pdf | |
![]() | 6DI15A120 | 6DI15A120 FUJI SMD or Through Hole | 6DI15A120.pdf | |
![]() | 0402 1.2NF 50V X7R 10% | 0402 1.2NF 50V X7R 10% TDK SMD or Through Hole | 0402 1.2NF 50V X7R 10%.pdf |