창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-KAI2S0880 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | KAI2S0880 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TO-3P-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | KAI2S0880 | |
관련 링크 | KAI2S, KAI2S0880 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | DR1030-2R8-R | 2.8µH Shielded Wirewound Inductor 5.1A 14.5 mOhm Max Nonstandard | DR1030-2R8-R.pdf | |
![]() | P-80C51TGS-12 | P-80C51TGS-12 MHS DIP | P-80C51TGS-12.pdf | |
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![]() | G29GL256N11TFI010 | G29GL256N11TFI010 ORIGINAL TSSOP56 | G29GL256N11TFI010.pdf | |
![]() | MB8AA1550 | MB8AA1550 FUJI BGA | MB8AA1550.pdf | |
![]() | MJ-YJD/A08 | MJ-YJD/A08 ORIGINAL SMD or Through Hole | MJ-YJD/A08.pdf | |
![]() | DR8100 | DR8100 RFM 25.425.4 | DR8100.pdf | |
![]() | SLG84450VTR | SLG84450VTR SYNTEK QFN | SLG84450VTR.pdf | |
![]() | 1711541 | 1711541 UNKNO SMD or Through Hole | 1711541.pdf | |
![]() | U614B | U614B ORIGINAL DIP | U614B.pdf | |
![]() | HYB39L128160AC | HYB39L128160AC HY BGA | HYB39L128160AC.pdf |