- K9KBGD8U1M-HCB0
- 제조업체 부품 번호
- K9KBGD8U1M-HCB0
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- K9KBGD8U1M-HCB0 SAMSUNG BGA
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
K9KBGD8U1M-HCB0 가격 및 조달
가능 수량
118010 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 K9KBGD8U1M-HCB0 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. K9KBGD8U1M-HCB0 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. K9KBGD8U1M-HCB0가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- K9KBGD8U1M-HCB0 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
K9KBGD8U1M-HCB0 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-K9KBGD8U1M-HCB0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K9KBGD8U1M-HCB0 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K9KBGD8U1M-HCB0 | |
| 관련 링크 | K9KBGD8U1, K9KBGD8U1M-HCB0 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
K9KBGD8U1M-HCB0 의 관련 제품
 | RB162VA-20TR | DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2 | RB162VA-20TR.pdf | |
.jpg) | RT1206WRD07806RL | RES SMD 806 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD07806RL.pdf | |
| HZ6A1-Q DIP-6.1V | HZ6A1-Q DIP-6.1V RENESAS SMD or Through Hole | HZ6A1-Q DIP-6.1V.pdf | |
| LZ15V | LZ15V TC SMD or Through Hole | LZ15V.pdf | |
| 52205-2690 | 52205-2690 MOLEX 26P | 52205-2690.pdf | |
| HSX840GA-10.000MHZ | HSX840GA-10.000MHZ MURATA 8X4 | HSX840GA-10.000MHZ.pdf | |
| VP22288ED | VP22288ED PHI BGA | VP22288ED.pdf | |
| N80C186XL-12. | N80C186XL-12. INTEL PLCC68 | N80C186XL-12..pdf | |
| KPT081M31 | KPT081M31 KYOSEMI DIP2DIP18TO | KPT081M31.pdf | |
| MIOS0570-134 | MIOS0570-134 QFP SMD or Through Hole | MIOS0570-134.pdf | |
| SAD-200T-TR | SAD-200T-TR TDK SMD or Through Hole | SAD-200T-TR.pdf | |
| BQ2000SN-B5.. | BQ2000SN-B5.. TI/BB SOIC-8 | BQ2000SN-B5...pdf |