창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-K9F6408UOC-QCBO | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K9F6408UOC-QCBO | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K9F6408UOC-QCBO | |
| 관련 링크 | K9F6408UO, K9F6408UOC-QCBO 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 08051K5R6CAWTR | 5.6pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051K5R6CAWTR.pdf | |
![]() | 416F38412ADR | 38.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412ADR.pdf | |
![]() | SIT2024BA-S2-33E-3.000000E | OSC XO 3.3V 3MHZ OE | SIT2024BA-S2-33E-3.000000E.pdf | |
| SIR436DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | SIR436DP-T1-GE3.pdf | ||
![]() | LFEC6E-5QN208C | LFEC6E-5QN208C LATTICE SMD or Through Hole | LFEC6E-5QN208C.pdf | |
![]() | CD4016BMJ-MIL | CD4016BMJ-MIL NationalSemiconductor SMD or Through Hole | CD4016BMJ-MIL.pdf | |
![]() | DS1708ESA C03 | DS1708ESA C03 MAXIM SOIC | DS1708ESA C03.pdf | |
![]() | CLS-RR11A12251R | CLS-RR11A12251R Lumex SMD or Through Hole | CLS-RR11A12251R.pdf | |
![]() | CC165RH1H910J1B | CC165RH1H910J1B TDK SMD or Through Hole | CC165RH1H910J1B.pdf | |
![]() | DBS-0712N315 | DBS-0712N315 NARDA SMD or Through Hole | DBS-0712N315.pdf | |
![]() | RT9817C-14GH | RT9817C-14GH RICHTEK SOT143 | RT9817C-14GH.pdf |