창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-K86AY510 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K86AY510 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DFN8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K86AY510 | |
| 관련 링크 | K86A, K86AY510 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BFC241914703 | 0.047µF Film Capacitor 125V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC241914703.pdf | |
![]() | 5962-8876801PA | Logic Output Optoisolator 5MBd Tri-State 1500VDC 1 Channel 1kV/µs CMTI 8-DIP | 5962-8876801PA.pdf | |
![]() | ADXRS623BBGZ-RL | Gyroscope Z (Yaw) ±150 1Hz ~ 3kHz Analog Voltage 32-CBGA (7x7) | ADXRS623BBGZ-RL.pdf | |
![]() | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | S3C7588A90-C0C8 | S3C7588A90-C0C8 SAMSUNG SMD or Through Hole | S3C7588A90-C0C8.pdf | |
![]() | OP07BIGJ | OP07BIGJ AD CAN | OP07BIGJ.pdf | |
![]() | DK3-0G106M-RA | DK3-0G106M-RA ELNA SMD or Through Hole | DK3-0G106M-RA.pdf | |
![]() | TMS390 | TMS390 TI PGA | TMS390.pdf | |
![]() | FDB2670-NL | FDB2670-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDB2670-NL.pdf | |
![]() | V510LA40A | V510LA40A Littelfuse DIP | V510LA40A.pdf | |
![]() | J2354 | J2354 Vishay TO-92 | J2354.pdf | |
![]() | KTD2120L | KTD2120L ORIGINAL QFP | KTD2120L.pdf |