- K4X56323PN-8GC6TJR
- 제조업체 부품 번호
- K4X56323PN-8GC6TJR
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 3
- 간단한 설명
- K4X56323PN-8GC6TJR SAMSUNG BGA90
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
K4X56323PN-8GC6TJR 가격 및 조달
가능 수량
120310 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 K4X56323PN-8GC6TJR 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. K4X56323PN-8GC6TJR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. K4X56323PN-8GC6TJR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- K4X56323PN-8GC6TJR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
K4X56323PN-8GC6TJR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-K4X56323PN-8GC6TJR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K4X56323PN-8GC6TJR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA90 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K4X56323PN-8GC6TJR | |
| 관련 링크 | K4X56323PN, K4X56323PN-8GC6TJR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
K4X56323PN-8GC6TJR 의 관련 제품
 | C1812C100JFGACTU | 10pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C100JFGACTU.pdf | |
 | BFG410W,115 | TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R | BFG410W,115.pdf | |
.jpg) | TNPW251276R8BEEG | RES SMD 76.8 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251276R8BEEG.pdf | |
 | PF1262-0R02J2 | RES 0.02 OHM 20W 5% TO126 | PF1262-0R02J2.pdf | |
| F930DM | F930DM F SMD or Through Hole | F930DM.pdf | |
| KSA3139F24.576MHZ | KSA3139F24.576MHZ NDK SMD or Through Hole | KSA3139F24.576MHZ.pdf | |
| TSB41AB3PFB | TSB41AB3PFB TI AYQFP | TSB41AB3PFB.pdf | |
| T7950MC2.T7950MC1 | T7950MC2.T7950MC1 AT&T PLCC44 | T7950MC2.T7950MC1.pdf | |
| P0408FC05C-T7-I | P0408FC05C-T7-I ORIGINAL BGA | P0408FC05C-T7-I.pdf | |
| ITT4116-3J | ITT4116-3J ORIGINAL DIP | ITT4116-3J.pdf | |
| 74LCX543MSA | 74LCX543MSA NATIONALSEMICONDUCTOR NA | 74LCX543MSA.pdf | |
| 350V0.68UF | 350V0.68UF nippon SMD or Through Hole | 350V0.68UF.pdf |