- K4T56163QN-HCF8
- 제조업체 부품 번호
- K4T56163QN-HCF8
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- K4T56163QN-HCF8 SAMSUNG BGA
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
K4T56163QN-HCF8 가격 및 조달
가능 수량
39010 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 K4T56163QN-HCF8 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. K4T56163QN-HCF8 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. K4T56163QN-HCF8가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- K4T56163QN-HCF8 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
K4T56163QN-HCF8 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-K4T56163QN-HCF8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K4T56163QN-HCF8 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K4T56163QN-HCF8 | |
| 관련 링크 | K4T56163Q, K4T56163QN-HCF8 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
K4T56163QN-HCF8 의 관련 제품
 | ABM3B-36.000MHZ-10-B-1-U-T | 36MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-36.000MHZ-10-B-1-U-T.pdf | |
| SIT9003AC-23-18DD-20.00000T | OSC XO 1.8V 20MHZ SD 0.50% | SIT9003AC-23-18DD-20.00000T.pdf | |
 | 8532R-33J | 470µH Unshielded Inductor 590mA 1.03 Ohm Max 2-SMD | 8532R-33J.pdf | |
| CMF6530K100FKR611 | RES 30.1K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6530K100FKR611.pdf | |
| RO3023A-1 | RO3023A-1 RFM SMD or Through Hole | RO3023A-1.pdf | |
| CY8CKIT-030 | CY8CKIT-030 Cypress Onlyoriginal | CY8CKIT-030.pdf | |
| M5M5256BRV-12L | M5M5256BRV-12L MIT SOP | M5M5256BRV-12L.pdf | |
| CC2540F256RHAT/CC2540F256RHAR | CC2540F256RHAT/CC2540F256RHAR TI/BB QFN | CC2540F256RHAT/CC2540F256RHAR.pdf | |
| DG134BK | DG134BK HARRIS CDIP | DG134BK.pdf | |
| THS6042IDRG4 | THS6042IDRG4 TI SOP8 | THS6042IDRG4.pdf | |
| TMS446112SDL | TMS446112SDL TI/BB SMD or Through Hole | TMS446112SDL.pdf | |
| CEUSL2A101M1020BB | CEUSL2A101M1020BB SAMSUNG SMD or Through Hole | CEUSL2A101M1020BB.pdf |