- K4T51163QB-6
- 제조업체 부품 번호
- K4T51163QB-6
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- K4T51163QB-6 SAMSUNG BGA
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
K4T51163QB-6 가격 및 조달
가능 수량
64270 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 K4T51163QB-6 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. K4T51163QB-6 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. K4T51163QB-6가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- K4T51163QB-6 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
K4T51163QB-6 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-K4T51163QB-6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K4T51163QB-6 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K4T51163QB-6 | |
| 관련 링크 | K4T5116, K4T51163QB-6 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
K4T51163QB-6 의 관련 제품
 | TZQ5224B-GS08 | DIODE ZENER 2.8V 500MW SOD80 | TZQ5224B-GS08.pdf | |
 | FCX619TA | TRANS NPN 50V 3A SOT-89 | FCX619TA.pdf | |
| S0603-39NH3S | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-39NH3S.pdf | |
| HM78-40331LFTR | 330µH Shielded Inductor 320mA 1.86 Ohm Max Nonstandard | HM78-40331LFTR.pdf | |
| CJ7812 3％ | CJ7812 3％ ORIGINAL TO-220 | CJ7812 3％.pdf | |
| RN5RZ50BA | RN5RZ50BA RICOH SOT-153 | RN5RZ50BA.pdf | |
| RC3-50V1R0MB0# | RC3-50V1R0MB0# ELNA SMD or Through Hole | RC3-50V1R0MB0#.pdf | |
| HS52 T38*14*22 | HS52 T38*14*22 TDK SMD or Through Hole | HS52 T38*14*22.pdf | |
| MB89155PF-G-192-BNDE1 | MB89155PF-G-192-BNDE1 FSJUTSU QFP | MB89155PF-G-192-BNDE1.pdf | |
| LCMXO256C5TN100-4I | LCMXO256C5TN100-4I LATTICE QFP | LCMXO256C5TN100-4I.pdf | |
| MAX4566EEE | MAX4566EEE MAXIM SSOP-16 | MAX4566EEE.pdf | |
| MA835AT | MA835AT MOSART SMD or Through Hole | MA835AT.pdf |