- K4N51163QE-EC25
- 제조업체 부품 번호
- K4N51163QE-EC25
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- K4N51163QE-EC25 SAMSUNG BGA
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
K4N51163QE-EC25 가격 및 조달
가능 수량
75490 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 K4N51163QE-EC25 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. K4N51163QE-EC25 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. K4N51163QE-EC25가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- K4N51163QE-EC25 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
K4N51163QE-EC25 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-K4N51163QE-EC25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K4N51163QE-EC25 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K4N51163QE-EC25 | |
| 관련 링크 | K4N51163Q, K4N51163QE-EC25 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
K4N51163QE-EC25 의 관련 제품
| HCZ102KBCDF0KR | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | HCZ102KBCDF0KR.pdf | |
| P0461NLT | 39.1µH Shielded Toroidal Inductor 900mA 142 mOhm Max Nonstandard | P0461NLT.pdf | |
.jpg) | RT1206BRD07732RL | RES SMD 732 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07732RL.pdf | |
| A4930GETTR-T | A4930GETTR-T Allegro 28-lead QFN | A4930GETTR-T.pdf | |
| 5013310207 | 5013310207 MOLEX 2P | 5013310207.pdf | |
| IPB09N03LA/PSI | IPB09N03LA/PSI INFINEON SMD or Through Hole | IPB09N03LA/PSI.pdf | |
| KTC3231-U | KTC3231-U KEC TO-220 | KTC3231-U.pdf | |
| PM7533AD | PM7533AD M CDIP | PM7533AD.pdf | |
| 1908ETI | 1908ETI MAXIM THINQFN | 1908ETI.pdf | |
| CD40538 | CD40538 ORIGINAL SOP16 | CD40538.pdf | |
| 686M04TK0080 | 686M04TK0080 AVX SMD or Through Hole | 686M04TK0080.pdf | |
| CAT811ZTBI-T3 | CAT811ZTBI-T3 ONSemiconductor SMD or Through Hole | CAT811ZTBI-T3.pdf |