창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-K4J10324QE-HC12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K4J10324QE-HC12 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K4J10324QE-HC12 | |
| 관련 링크 | K4J10324Q, K4J10324QE-HC12 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CC0603KRX7R0BB473 | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603KRX7R0BB473.pdf | |
![]() | NOJT226M006RWJ | 22µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1210 (3528 Metric) 1.8 Ohm ESR | NOJT226M006RWJ.pdf | |
![]() | 416F380X2AKR | 38MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X2AKR.pdf | |
![]() | RLB0608-331KL | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 165mA 4.68 Ohm Max Radial | RLB0608-331KL.pdf | |
![]() | E3Z-T61A-D 2M | SENSOR PHOTOELECTRIC 10M | E3Z-T61A-D 2M.pdf | |
![]() | 10R5250ESD PQ | 10R5250ESD PQ SUN BGA | 10R5250ESD PQ.pdf | |
![]() | R-12 U716DJ | R-12 U716DJ MITSUMI 5.65.6 | R-12 U716DJ.pdf | |
![]() | CS4280-CM-EP | CS4280-CM-EP N/A QFP | CS4280-CM-EP.pdf | |
![]() | BA491 | BA491 ROHM ZIP | BA491.pdf | |
![]() | IS61NF12836-10TQL | IS61NF12836-10TQL ISSI QFP100 | IS61NF12836-10TQL.pdf | |
![]() | LTC1566-1CS8(XHZ) | LTC1566-1CS8(XHZ) LT MSOP8 | LTC1566-1CS8(XHZ).pdf | |
![]() | 62B53 | 62B53 On-Bright SOT23-6 | 62B53.pdf |