창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-K4B1G1646E-HCH9000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K4B1G1646E-HCH9000 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIPSMT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K4B1G1646E-HCH9000 | |
| 관련 링크 | K4B1G1646E, K4B1G1646E-HCH9000 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| PCX1V560MCL1GS | 56µF 35V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 33 mOhm 3000 Hrs @ 125°C | PCX1V560MCL1GS.pdf | ||
![]() | EEV-FC0J152P | 1500µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EEV-FC0J152P.pdf | |
![]() | TM3D336K016LBA | 33µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TM3D336K016LBA.pdf | |
| MSRT200140(A)D | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | MSRT200140(A)D.pdf | ||
![]() | IHLP2525BDER8R2M01 | 8.2µH Shielded Molded Inductor 3A 106 mOhm Max Nonstandard | IHLP2525BDER8R2M01.pdf | |
![]() | PTN1206E65R7BST1 | RES SMD 65.7 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E65R7BST1.pdf | |
![]() | M-720-V2 | M-720-V2 ORIGINAL SMD or Through Hole | M-720-V2.pdf | |
![]() | HD74LS07FPEL-E-Q | HD74LS07FPEL-E-Q RENESAS SOP5.2MM | HD74LS07FPEL-E-Q.pdf | |
![]() | SK75DT16 | SK75DT16 SEMIKRON SMD or Through Hole | SK75DT16.pdf | |
![]() | MC33052 | MC33052 MOT SOP8 | MC33052.pdf | |
![]() | B32591C1105J189 | B32591C1105J189 EPCOS DIP | B32591C1105J189.pdf | |
![]() | KRC2355S | KRC2355S KEC SOT-23 | KRC2355S.pdf |