창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JMV0603E620T150 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | JMV0603E620T150 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | JMV0603E620T150 | |
| 관련 링크 | JMV0603E6, JMV0603E620T150 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 13008-042KESC | 330µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 3226 (8066 Metric) 100 mOhm 0.315" L x 0.260" W (8.00mm x 6.60mm) | 13008-042KESC.pdf | |
![]() | V430MT3A | VARISTOR 430V 100A SOD83A AXIAL | V430MT3A.pdf | |
![]() | 7M25020012 | 25MHz ±10ppm 수정 10pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M25020012.pdf | |
![]() | DMN10H099SFG-7 | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | DMN10H099SFG-7.pdf | |
![]() | CLS8D28NP-100NC | 10µH Unshielded Inductor 3.1A 81 mOhm Max Nonstandard | CLS8D28NP-100NC.pdf | |
![]() | K1100BA11.520093M | K1100BA11.520093M NAIS SMD or Through Hole | K1100BA11.520093M.pdf | |
![]() | NBB-402SR | NBB-402SR RFMD SMD or Through Hole | NBB-402SR.pdf | |
![]() | SD1A108M1012MPA159 | SD1A108M1012MPA159 SAMWHA SMD or Through Hole | SD1A108M1012MPA159.pdf | |
![]() | MM3Z22/2M | MM3Z22/2M ST SMD or Through Hole | MM3Z22/2M.pdf | |
![]() | C2798G. | C2798G. NEC SSOP | C2798G..pdf | |
![]() | XC20S-3VQ100C | XC20S-3VQ100C XILINX QFP | XC20S-3VQ100C.pdf | |
![]() | ECA2AM010B | ECA2AM010B panasonic DIP | ECA2AM010B.pdf |