창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDV2S09FSTPL3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDV2S09FS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
| 전류 - 최대 | - | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 11.1pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | - | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDV2S09FS(TPL3) JDV2S09FSTPL3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDV2S09FSTPL3 | |
| 관련 링크 | JDV2S09, JDV2S09FSTPL3 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | T411AE1001C | T411AE1001C LEACH SMD or Through Hole | T411AE1001C.pdf | |
![]() | IN5242B | IN5242B YJ DO-35 | IN5242B.pdf | |
![]() | H981 | H981 BMI COIL | H981.pdf | |
![]() | TDA4858/V2 (TDA485 | TDA4858/V2 (TDA485 PHILIPS DIP32 | TDA4858/V2 (TDA485.pdf | |
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![]() | MCO450-20io1/MCO450-22io1 | MCO450-20io1/MCO450-22io1 IXYS Y1-CU | MCO450-20io1/MCO450-22io1.pdf | |
![]() | P6SMBJ90C-T1 | P6SMBJ90C-T1 WTE SMD | P6SMBJ90C-T1.pdf | |
![]() | XAA226 | XAA226 ORIGINAL SMD | XAA226.pdf | |
![]() | KSP4401 | KSP4401 ORIGINAL TO-92 | KSP4401.pdf | |
![]() | MAX16029TG+ (LF) | MAX16029TG+ (LF) MAXIM SMD or Through Hole | MAX16029TG+ (LF).pdf | |
![]() | MCR18 EZH JW 912E | MCR18 EZH JW 912E ROHM SMD or Through Hole | MCR18 EZH JW 912E.pdf | |
![]() | AM29LV320DT-90WMI | AM29LV320DT-90WMI AMD BGA | AM29LV320DT-90WMI.pdf |