창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDV2S07FSTPL3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDV2S07FS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
| 전류 - 최대 | - | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 4.9pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | - | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDV2S07FS(TPL3) JDV2S07FSTPL3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDV2S07FSTPL3 | |
| 관련 링크 | JDV2S07, JDV2S07FSTPL3 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 416F440X3ITT | 44MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X3ITT.pdf | |
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![]() | SP3222EBCA-L/TR | SP3222EBCA-L/TR XR SMD or Through Hole | SP3222EBCA-L/TR.pdf | |
![]() | OSA1222IAA6CZ | OSA1222IAA6CZ AMD SMD or Through Hole | OSA1222IAA6CZ.pdf | |
![]() | STB-835 | STB-835 ANA STB-835 | STB-835.pdf | |
![]() | SKET105-04 | SKET105-04 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKET105-04.pdf | |
![]() | RB29EE012 | RB29EE012 ORIGINAL PLCC | RB29EE012.pdf | |
![]() | ISC181212UH | ISC181212UH Microsemi QFP | ISC181212UH.pdf |