창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDP2S08SC(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDP2S08SC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 50mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 무연 | |
| 공급 장치 패키지 | SC2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDP2S08SC(TPL3)TR JDP2S08SCTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDP2S08SC(TPL3) | |
| 관련 링크 | JDP2S08SC, JDP2S08SC(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | GCM1885C1H5R3DA16D | 5.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C1H5R3DA16D.pdf | |
![]() | VJ1206Y123KBCAT4X | 0.012µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y123KBCAT4X.pdf | |
![]() | IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | IXFH12N80P.pdf | |
![]() | JAPAN2SC238 | JAPAN2SC238 FUI CAN | JAPAN2SC238.pdf | |
![]() | UPC1093T-1-E1 | UPC1093T-1-E1 NEC SOT-89 | UPC1093T-1-E1.pdf | |
![]() | 12UF | 12UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 12UF.pdf | |
![]() | X254310 | X254310 ORIGINAL TSOP | X254310.pdf | |
![]() | AM8158DC | AM8158DC ORIGINAL DIP | AM8158DC.pdf | |
![]() | 640442-2 | 640442-2 AMP/TYCO AMP | 640442-2.pdf | |
![]() | MAX3203EEBT+T | MAX3203EEBT+T MAXIM 5UCSP | MAX3203EEBT+T.pdf | |
![]() | GRM155B11A473KA01B | GRM155B11A473KA01B MURATA SMD or Through Hole | GRM155B11A473KA01B.pdf |