창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDP2S02AFS(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDP2S02AFS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 50mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDP2S02AFS(TPL3)TR JDP2S02AFSTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDP2S02AFS(TPL3) | |
| 관련 링크 | JDP2S02AF, JDP2S02AFS(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | TS200F33IDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS200F33IDT.pdf | |
![]() | 416F37435ATR | 37.4MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37435ATR.pdf | |
![]() | RT1210FRD073K92L | RES SMD 3.92K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD073K92L.pdf | |
![]() | AT2302GD | AT2302GD AT SOT-23L | AT2302GD.pdf | |
![]() | 0402CS-22NXJLC | 0402CS-22NXJLC COILCRAFT SMD or Through Hole | 0402CS-22NXJLC.pdf | |
![]() | 9226/931 | 9226/931 SAMSUNG SMD or Through Hole | 9226/931.pdf | |
![]() | S-1165B28MC-N6NTFG | S-1165B28MC-N6NTFG SEIKO SOT23-5 | S-1165B28MC-N6NTFG.pdf | |
![]() | BSFE75G06 | BSFE75G06 SHARP SMD or Through Hole | BSFE75G06.pdf | |
![]() | LAX-160V331MS23 | LAX-160V331MS23 ELNA DIP-2 | LAX-160V331MS23.pdf | |
![]() | CDALF10M7AA018-B0 | CDALF10M7AA018-B0 MURATA SMD or Through Hole | CDALF10M7AA018-B0.pdf | |
![]() | SI-8050SS | SI-8050SS SANKEN TO2205 | SI-8050SS.pdf |