창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-JDP2S02AFS(TPL3) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | JDP2S02AFS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | JDP2S02AFS(TPL3)TR JDP2S02AFSTPL3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | JDP2S02AFS(TPL3) | |
관련 링크 | JDP2S02AF, JDP2S02AFS(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | F931E476MNC | 47µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | F931E476MNC.pdf | |
![]() | FVT02506E10K00JE | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 25W | FVT02506E10K00JE.pdf | |
![]() | 1826-0458 | 1826-0458 NS CAN | 1826-0458.pdf | |
![]() | PEB20320H-V3.2 | PEB20320H-V3.2 SIE QFP160 | PEB20320H-V3.2.pdf | |
![]() | LF1S022-43 | LF1S022-43 BOTHHAND SOPDIP | LF1S022-43.pdf | |
![]() | B43584-E2229-M | B43584-E2229-M EPCS SMD or Through Hole | B43584-E2229-M.pdf | |
![]() | FQD1P50-NL | FQD1P50-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | FQD1P50-NL.pdf | |
![]() | G6S-2P-24V | G6S-2P-24V OMRON SMD or Through Hole | G6S-2P-24V.pdf | |
![]() | MA999 | MA999 PANASONIC SOT-143 | MA999.pdf | |
![]() | RS-2415S/H2 | RS-2415S/H2 RECOM DIPSIP | RS-2415S/H2.pdf | |
![]() | COP8SAA720N9 D/C96 | COP8SAA720N9 D/C96 NSC SMD or Through Hole | COP8SAA720N9 D/C96.pdf |