창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDP2S02ACT(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDP2S02ACT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 50mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | SOD-882 | |
| 공급 장치 패키지 | CST2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDP2S02ACT(TPL3)TR JDP2S02ACTTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDP2S02ACT(TPL3) | |
| 관련 링크 | JDP2S02AC, JDP2S02ACT(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 170M8641 | FUSE 1250A 1000V 3TN/110 AR | 170M8641.pdf | |
![]() | 20111250001 | FUSE GLASS 1.25A 250VAC 5X20MM | 20111250001.pdf | |
![]() | P51-100-G-Z-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-G-Z-P-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | 1206N220K501T | 1206N220K501T HEC 1206-22P500V | 1206N220K501T.pdf | |
![]() | B432AK3 | B432AK3 BayLinear SOT23-3 | B432AK3.pdf | |
![]() | W228BHT | W228BHT ORIGINAL SSOP56L | W228BHT.pdf | |
![]() | TACL106M011RTA | TACL106M011RTA AVX SMD or Through Hole | TACL106M011RTA.pdf | |
![]() | HEDS-9201#300 | HEDS-9201#300 AGILENT 5P | HEDS-9201#300.pdf | |
![]() | K-17-C | K-17-C IRTOUCH SMD or Through Hole | K-17-C.pdf | |
![]() | ACMS160808A301RDC1 | ACMS160808A301RDC1 MAXECHO SMD or Through Hole | ACMS160808A301RDC1.pdf | |
![]() | AT19F020-90JC | AT19F020-90JC N/A TSOP | AT19F020-90JC.pdf | |
![]() | B1116-L,K,U | B1116-L,K,U NEC, SMD or Through Hole | B1116-L,K,U.pdf |