창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDH3D01STE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDH3D01S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 4V | |
| 전류 - 최대 | 25mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.6pF @ 0.2V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | - | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | JDH3D01S(TE85L,F) JDH3D01STE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDH3D01STE85LF | |
| 관련 링크 | JDH3D01S, JDH3D01STE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | W1A2ZC682MAT2A | 6800pF Isolated Capacitor 2 Array 10V X7R 0504 (1410 Metric) 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) | W1A2ZC682MAT2A.pdf | |
![]() | AOCJY4B-10.000MHZ-F | 10MHz CMOS OCXO Oscillator Through Hole 12V | AOCJY4B-10.000MHZ-F.pdf | |
![]() | TNPU120617K4BZEN00 | RES SMD 17.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU120617K4BZEN00.pdf | |
![]() | PC87309-ICK7VLJ | PC87309-ICK7VLJ NS SMD or Through Hole | PC87309-ICK7VLJ.pdf | |
![]() | NJM78L05L2A(PB-FREE) | NJM78L05L2A(PB-FREE) JRC TO92 | NJM78L05L2A(PB-FREE).pdf | |
![]() | NAND512W3A2BN5 | NAND512W3A2BN5 STM TSSOP | NAND512W3A2BN5.pdf | |
![]() | FTR-8519P-5A | FTR-8519P-5A FINISAR SMD or Through Hole | FTR-8519P-5A.pdf | |
![]() | 6RI50G-120 | 6RI50G-120 FUJI SMD or Through Hole | 6RI50G-120.pdf | |
![]() | TLV70228DBVR. | TLV70228DBVR. TI SMD or Through Hole | TLV70228DBVR..pdf | |
![]() | MC101821003FE | MC101821003FE ORIGINAL SMD or Through Hole | MC101821003FE.pdf | |
![]() | H3CR-H8L 200/220/240VAC | H3CR-H8L 200/220/240VAC OMRON SMD or Through Hole | H3CR-H8L 200/220/240VAC.pdf | |
![]() | S3DG8D | S3DG8D ORIGINAL AX14 | S3DG8D.pdf |