창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-JDH2S01FSTPL3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | JDH2S01FS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 4V | |
| 전류 - 최대 | 25mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.6pF @ 0.2V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | - | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | fSC | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | JDH2S01FS (TPL3) JDH2S01FS(TPL3) JDH2S01FSTPL3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | JDH2S01FSTPL3 | |
| 관련 링크 | JDH2S01, JDH2S01FSTPL3 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 403C35E20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35E20M00000.pdf | |
![]() | LK212582NM-T | 82nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LK212582NM-T.pdf | |
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![]() | NL453232T-271J-S | NL453232T-271J-S CHILISIN SMD or Through Hole | NL453232T-271J-S.pdf | |
![]() | 680UF/25V | 680UF/25V ORIGINAL DIP2 | 680UF/25V.pdf | |
![]() | TT-600(1200)MM-9(18)W | TT-600(1200)MM-9(18)W ORIGINAL SMD or Through Hole | TT-600(1200)MM-9(18)W.pdf | |
![]() | PD5162A | PD5162A N/A DIP20 | PD5162A.pdf | |
![]() | PSB7110F 10V | PSB7110F 10V SIEMENS QFP | PSB7110F 10V.pdf | |
![]() | KPT-1608YD | KPT-1608YD ORIGINAL LED | KPT-1608YD.pdf | |
![]() | R463N333000M1M | R463N333000M1M KEMET SMD or Through Hole | R463N333000M1M.pdf | |
![]() | LWQ130-5FF2 | LWQ130-5FF2 LAMBDA SMD or Through Hole | LWQ130-5FF2.pdf |