창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-J111 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | J111-13, MMBFJ111-13 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 14/Apr/2015 | |
PCN 포장 | TO92 Packing Updates 01/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N채널 | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | 35V | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 20mA @ 15V | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 3V @ 1µA | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | 30옴 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
전력 - 최대 | 625mW | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | J111FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | J111 | |
관련 링크 | J1, J111 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MP200B-E | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 25옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/U | MP200B-E.pdf | ||
TG.30.8112W | 829MHz, 1.575GHz, 1.9GHz, 2.5GHz GPS, LTE Whip, Straight RF Antenna 698MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 2.17GHz, 2.3GHz ~ 2.7GHz, 1.575GHz 3dBi Connector, SMA Male Connector Mount | TG.30.8112W.pdf | ||
RD62C | RD62C NEC SMD or Through Hole | RD62C.pdf | ||
V47AB | V47AB ORIGINAL SMD or Through Hole | V47AB.pdf | ||
FM4933L | FM4933L RECTRON SMA(DO-214AC) | FM4933L.pdf | ||
MAX13053ESA | MAX13053ESA MAXIM SOP-8 | MAX13053ESA.pdf | ||
TNR9G431K | TNR9G431K NIPPON CHEMI-CON SMD or Through Hole | TNR9G431K.pdf | ||
NRA475M06R8 6.3WV | NRA475M06R8 6.3WV NEC SMD | NRA475M06R8 6.3WV.pdf | ||
63ZLH470MEFC 12.5X25 | 63ZLH470MEFC 12.5X25 RUBYCON SMD or Through Hole | 63ZLH470MEFC 12.5X25.pdf | ||
2SK1719,K1719 | 2SK1719,K1719 TOS TO-252 | 2SK1719,K1719.pdf | ||
OAP650UB | OAP650UB TI/BB SO-8 | OAP650UB.pdf | ||
SBL850CT | SBL850CT DIODES TO-220A | SBL850CT.pdf |