창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXXN200N60C3H1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXXN200N60C3H1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | GenX3™, XPT™ | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | PT | |
구성 | 단일 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200A | |
전력 - 최대 | 780W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 9.9nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXXN200N60C3H1 | |
관련 링크 | IXXN200N, IXXN200N60C3H1 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 416F27125IAR | 27.12MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125IAR.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF4703U | RES SMD 470K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF4703U.pdf | |
![]() | RCS0603390RFKEA | RES SMD 390 OHM 1% 1/4W 0603 | RCS0603390RFKEA.pdf | |
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![]() | KRC104U-RTH/P | KRC104U-RTH/P ORIGINAL SMD or Through Hole | KRC104U-RTH/P.pdf | |
![]() | RFB0176-SACB1 | RFB0176-SACB1 AMD PGA | RFB0176-SACB1.pdf | |
![]() | MCC90-06I08X12 | MCC90-06I08X12 BBC SMD or Through Hole | MCC90-06I08X12.pdf | |
![]() | AMET-15-RS-45 | AMET-15-RS-45 ASSMANN Call | AMET-15-RS-45.pdf | |
![]() | SM8S17A-E3/2D | SM8S17A-E3/2D VISHAY DO-218AB | SM8S17A-E3/2D.pdf | |
![]() | GC89C591AO-PL44C | GC89C591AO-PL44C GENCORE PLCC | GC89C591AO-PL44C.pdf | |
![]() | 04-6239-018-001-800 | 04-6239-018-001-800 KYOCERA SMD or Through Hole | 04-6239-018-001-800.pdf |