창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTY2N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTY2N65X2, IXTP2N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTY2N65X2 | |
| 관련 링크 | IXTY2N, IXTY2N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RT1206DRE0763R4L | RES SMD 63.4 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0763R4L.pdf | |
![]() | RT1210BRD071K27L | RES SMD 1.27K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD071K27L.pdf | |
![]() | TNPW040269K8BETD | RES SMD 69.8KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040269K8BETD.pdf | |
![]() | M5M5W817TP-55H | M5M5W817TP-55H MIT TSOP | M5M5W817TP-55H.pdf | |
![]() | 1006-GR | 1006-GR ORIGINAL QFN | 1006-GR.pdf | |
![]() | XC3030A-PQ100BKJ | XC3030A-PQ100BKJ XILINX QFP | XC3030A-PQ100BKJ.pdf | |
![]() | A6822 | A6822 SI TO-92 | A6822.pdf | |
![]() | B41570A7109Q | B41570A7109Q TDK-EPC SMD or Through Hole | B41570A7109Q.pdf | |
![]() | H11AD6X-5404 | H11AD6X-5404 LITEON DIP | H11AD6X-5404.pdf | |
![]() | SN75553N | SN75553N TI DIP | SN75553N.pdf | |
![]() | NE556A | NE556A INTERSIL DIP-14 | NE556A.pdf | |
![]() | RV1E336M6L009 | RV1E336M6L009 SAMWHA SMD or Through Hole | RV1E336M6L009.pdf |