창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTY2N100P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Y)2N100P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 655pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 86W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTY2N100P | |
| 관련 링크 | IXTY2N, IXTY2N100P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D470KLCAJ | 47pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D470KLCAJ.pdf | |
![]() | MLG1005S3N3STD25 | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 200 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S3N3STD25.pdf | |
![]() | AF0805FR-07422RL | RES SMD 422 OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-07422RL.pdf | |
![]() | CBT50J10M | RES 10.0M OHM 1/2W 5% AXIAL | CBT50J10M.pdf | |
![]() | 39VF04070-4C-PH | 39VF04070-4C-PH SST DIP32 | 39VF04070-4C-PH.pdf | |
![]() | PTS 125SM85 | PTS 125SM85 C&K DIP | PTS 125SM85.pdf | |
![]() | US3B-TR | US3B-TR TSC DO214AB | US3B-TR.pdf | |
![]() | ELM99331B-S /BDA4 | ELM99331B-S /BDA4 ELM SOT-89 | ELM99331B-S /BDA4.pdf | |
![]() | BCM5421SKPF | BCM5421SKPF SAMSUNG SMD or Through Hole | BCM5421SKPF.pdf | |
![]() | AHC1G04HDCKR / ADH | AHC1G04HDCKR / ADH ORIGINAL SOT-353 | AHC1G04HDCKR / ADH.pdf | |
![]() | ST16C654CQ-F. | ST16C654CQ-F. EXAR SMD or Through Hole | ST16C654CQ-F..pdf |