창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTY10P15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Y,A,P)10P15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTY10P15T | |
| 관련 링크 | IXTY10, IXTY10P15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 402F27133CLT | 27.12MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27133CLT.pdf | |
![]() | 498-103001 | 498-103001 KR ZIP14 | 498-103001.pdf | |
![]() | 4023A/BCA | 4023A/BCA REI Call | 4023A/BCA.pdf | |
![]() | M95080W-MN6T | M95080W-MN6T ST SOP8 | M95080W-MN6T.pdf | |
![]() | TEMSVC0J157M12R | TEMSVC0J157M12R NEC SMD or Through Hole | TEMSVC0J157M12R.pdf | |
![]() | GDM7240SB10BGT | GDM7240SB10BGT GCT SMD or Through Hole | GDM7240SB10BGT.pdf | |
![]() | 147239-00ZD-PLUS | 147239-00ZD-PLUS NEC SMD or Through Hole | 147239-00ZD-PLUS.pdf | |
![]() | SM2W478M76160 | SM2W478M76160 SAMWHA SMD or Through Hole | SM2W478M76160.pdf | |
![]() | PB-22E65/ | PB-22E65/ ORIGINAL DIP | PB-22E65/.pdf | |
![]() | SW3D-8243 | SW3D-8243 ORIGINAL SMD or Through Hole | SW3D-8243.pdf | |
![]() | PI2303HX | PI2303HX MICROCHIP SMD or Through Hole | PI2303HX.pdf | |
![]() | SKB51L-W | SKB51L-W SEMIKRON CaseSKB51L-W | SKB51L-W.pdf |