창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTY08N50D2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Y,A,P)08N50D2 | |
| 주요제품 | Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 800mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6옴 @ 400mA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.7nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 312pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTY08N50D2 | |
| 관련 링크 | IXTY08, IXTY08N50D2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | BLF8G09LS-270GWQ | TRANS RF 270W LDMOS CDFM6 | BLF8G09LS-270GWQ.pdf | |
![]() | RT0402BRE07205RL | RES SMD 205 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE07205RL.pdf | |
![]() | H890R9BDA | RES 90.9 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H890R9BDA.pdf | |
![]() | FW82439TX(SL3BT) | FW82439TX(SL3BT) INTEL BGA | FW82439TX(SL3BT).pdf | |
![]() | FW82453NX-Q172ES | FW82453NX-Q172ES INTEL BGA | FW82453NX-Q172ES.pdf | |
![]() | mc5540cm | mc5540cm ETC SMD | mc5540cm.pdf | |
![]() | NTC304-BA1D-C___B | NTC304-BA1D-C___B TMEC SMD or Through Hole | NTC304-BA1D-C___B.pdf | |
![]() | OPA4560P | OPA4560P BB/TI DIP | OPA4560P.pdf | |
![]() | 2SB772-R | 2SB772-R NEC TO-252 | 2SB772-R .pdf | |
![]() | 199D684X0035A | 199D684X0035A VISHAY SMD or Through Hole | 199D684X0035A.pdf | |
![]() | CXP80724-148Q | CXP80724-148Q SON QFP | CXP80724-148Q.pdf | |
![]() | RM73B2BT200J | RM73B2BT200J KOA RES | RM73B2BT200J.pdf |