창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTY02N120P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(P,Y)02N120P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 104pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 33W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTY02N120P | |
| 관련 링크 | IXTY02, IXTY02N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | BK-S505H-V-1-R | FUSE CERM 1A 600VAC 400VDC 5X20 | BK-S505H-V-1-R.pdf | |
|  | 36502A72NJTDG | 72nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 400 mOhm Max Nonstandard | 36502A72NJTDG.pdf | |
|  | IR519M | IR519M IR SOP | IR519M.pdf | |
|  | 89HPES16T4G2ZABXG | 89HPES16T4G2ZABXG IDT SMD or Through Hole | 89HPES16T4G2ZABXG.pdf | |
|  | SFECV10M7HA00-R0 | SFECV10M7HA00-R0 MURATA SMD or Through Hole | SFECV10M7HA00-R0.pdf | |
|  | 20 24 | 20 24 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20 24 .pdf | |
|  | MCB1608S121GA | MCB1608S121GA ORIGINAL SMD or Through Hole | MCB1608S121GA.pdf | |
|  | CD/TC4022 | CD/TC4022 ORIGINAL DIP16 | CD/TC4022.pdf | |
|  | DG526AKN | DG526AKN AD DIP | DG526AKN.pdf | |
|  | MUFC 020 G06 | MUFC 020 G06 ASIC DIP | MUFC 020 G06.pdf | |
|  | LQLBC2518T1R0 | LQLBC2518T1R0 TAIYO SMD | LQLBC2518T1R0.pdf | |
|  | EPM7128AETL144 | EPM7128AETL144 ALTERA TQFP-144 | EPM7128AETL144.pdf |