창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTX5N250 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTx5N250 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 2500V(2.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTX5N250 | |
| 관련 링크 | IXTX5, IXTX5N250 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805DRE07909KL | RES SMD 909K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07909KL.pdf | |
![]() | RCP0505W750RGET | RES SMD 750 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W750RGET.pdf | |
![]() | DWM100X2-12U | DWM100X2-12U DW TO-227 | DWM100X2-12U.pdf | |
![]() | CD22204E. | CD22204E. HAR DIP | CD22204E..pdf | |
![]() | SMCG5.0CA-E3 | SMCG5.0CA-E3 VISHAY DO-215AA | SMCG5.0CA-E3.pdf | |
![]() | BD518(-1 | BD518(-1 MOT SMD or Through Hole | BD518(-1.pdf | |
![]() | PDL03-12D15W | PDL03-12D15W P-DUKE SIP8 | PDL03-12D15W.pdf | |
![]() | TPA6012A4PWPEVM | TPA6012A4PWPEVM TexasInstruments SMD or Through Hole | TPA6012A4PWPEVM.pdf | |
![]() | CC0805N109C3SAT | CC0805N109C3SAT Compostar CHIP CAPACITOR | CC0805N109C3SAT.pdf | |
![]() | 28F800C3BA-90 | 28F800C3BA-90 INTEL SMD or Through Hole | 28F800C3BA-90.pdf | |
![]() | LAK2D122MELC50ZB | LAK2D122MELC50ZB nichicon DIP-2 | LAK2D122MELC50ZB.pdf | |
![]() | 6R3100TCML-M-P | 6R3100TCML-M-P FUJIT SMD | 6R3100TCML-M-P.pdf |