창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTX200N10L2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTK200N10L2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Linear L2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 3mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 540nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1040W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTX200N10L2 | |
관련 링크 | IXTX200, IXTX200N10L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 08052C271KAT2A | 270pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052C271KAT2A.pdf | |
![]() | 06031AR56BAT2A | 0.56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031AR56BAT2A.pdf | |
![]() | 102S42E0R6AV4E | 0.60pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E0R6AV4E.pdf | |
![]() | BAT54C-HE3-08 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23 | BAT54C-HE3-08.pdf | |
![]() | PEB2086NV1.1ISAC-S | PEB2086NV1.1ISAC-S INF Call | PEB2086NV1.1ISAC-S.pdf | |
![]() | FDD5134 | FDD5134 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDD5134.pdf | |
![]() | KRA301E-RTK/P | KRA301E-RTK/P KEC SOT523 | KRA301E-RTK/P.pdf | |
![]() | MAX223EWI+ | MAX223EWI+ MAXIM SOIC28 | MAX223EWI+.pdf | |
![]() | FHB-IM2012-121JT | FHB-IM2012-121JT ORIGINAL SMD or Through Hole | FHB-IM2012-121JT.pdf | |
![]() | MTD972F | MTD972F MYSN QFP-100 | MTD972F.pdf | |
![]() | HC2G127M25025 | HC2G127M25025 samwha DIP-2 | HC2G127M25025.pdf |