창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTX120N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(K,X)120N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTX120N65X2 | |
관련 링크 | IXTX120, IXTX120N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | S1210R-153G | 15µH Shielded Inductor 254mA 2.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-153G.pdf | |
![]() | HVS2512-680MK8 | RES SMD 680M OHM 10% 1W 2512 | HVS2512-680MK8.pdf | |
![]() | 60SN40PB | 60SN40PB USA SMD | 60SN40PB.pdf | |
![]() | CH74HCT194E | CH74HCT194E TIS Call | CH74HCT194E.pdf | |
![]() | NGG6W | NGG6W ORIGINAL TSOPJW-12 | NGG6W.pdf | |
![]() | D78327CW | D78327CW CHINA SMD or Through Hole | D78327CW.pdf | |
![]() | LDC30B190J0950C-302 | LDC30B190J0950C-302 MURATA SMD or Through Hole | LDC30B190J0950C-302.pdf | |
![]() | 15P00305(TE-024L60+-2) | 15P00305(TE-024L60+-2) N/A SMD or Through Hole | 15P00305(TE-024L60+-2).pdf | |
![]() | HY530464LS-80 | HY530464LS-80 ORIGINAL DIP-18 | HY530464LS-80.pdf | |
![]() | S-1170B25PD | S-1170B25PD SEIKO SOT | S-1170B25PD.pdf |