창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTU01N80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(U,Y)01N80 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50옴 @ 100mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTU01N80 | |
| 관련 링크 | IXTU0, IXTU01N80 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805DRD07422KL | RES SMD 422K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD07422KL.pdf | |
![]() | UPD431000AGW-85 L | UPD431000AGW-85 L NEC SOP | UPD431000AGW-85 L.pdf | |
![]() | CP50TD1-12A | CP50TD1-12A ORIGINAL SMD or Through Hole | CP50TD1-12A.pdf | |
![]() | ZXHF5002JB24 | ZXHF5002JB24 DIODES QFN44-24 | ZXHF5002JB24.pdf | |
![]() | KSB546-YTU | KSB546-YTU FAIRCH SMD or Through Hole | KSB546-YTU.pdf | |
![]() | MB29DL164BE-70PFTNE1 | MB29DL164BE-70PFTNE1 FUJITSU TSOP | MB29DL164BE-70PFTNE1.pdf | |
![]() | IS41C6256-35T | IS41C6256-35T ISSI TSOP40 | IS41C6256-35T.pdf | |
![]() | PEMH30,315 | PEMH30,315 NXP SOT666 | PEMH30,315.pdf | |
![]() | CO402BRNPO9BN2R2 | CO402BRNPO9BN2R2 PHYCOMP SMD or Through Hole | CO402BRNPO9BN2R2.pdf | |
![]() | S-808126NMC-JG2-T2 | S-808126NMC-JG2-T2 SEK SOT25 | S-808126NMC-JG2-T2.pdf | |
![]() | 6.8UF6.3V20% | 6.8UF6.3V20% EPC B | 6.8UF6.3V20%.pdf | |
![]() | IPD25N06 | IPD25N06 infineon SOT-252 | IPD25N06.pdf |