창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT96N20P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,T)96N20P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 96A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT96N20P | |
| 관련 링크 | IXTT96, IXTT96N20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | IPD30N08S222ATMA1 | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | IPD30N08S222ATMA1.pdf | |
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![]() | CRA06S08314K7FTA | RES ARRAY 4 RES 14.7K OHM 1206 | CRA06S08314K7FTA.pdf | |
![]() | DW1000-I-TR7 | IC RF TxRx Only 802.15.4 IR-UWB 3.5GHz ~ 6.5GHz 48-QFN Exposed Pad | DW1000-I-TR7.pdf | |
![]() | FD-61S | M6 DIFUSE REFLECT SLEEVE 40MM R4 | FD-61S.pdf | |
![]() | UPG2311T5N | UPG2311T5N NEC SOT363 | UPG2311T5N.pdf | |
![]() | 550C962T350DN2D | 550C962T350DN2D CDE DIP | 550C962T350DN2D.pdf | |
![]() | HD637 | HD637 HITCHIA SMD or Through Hole | HD637.pdf | |
![]() | FH10A24S1SH | FH10A24S1SH HIROSE SMD or Through Hole | FH10A24S1SH.pdf | |
![]() | EUD-P00-2096Q7 | EUD-P00-2096Q7 ORIGINAL SMD or Through Hole | EUD-P00-2096Q7.pdf |