창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT88N30P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,K,Q,T)88N30P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 44A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT88N30P | |
| 관련 링크 | IXTT88, IXTT88N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385162160JDA2B0 | 620pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385162160JDA2B0.pdf | |
![]() | AMCV-0402-140-C101N-T | VARISTOR 19V 20A 0402 | AMCV-0402-140-C101N-T.pdf | |
| ABLNO-122.880MHZ-T | 122.88MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA | ABLNO-122.880MHZ-T.pdf | ||
![]() | ERJ-1GEF42R2C | RES SMD 42.2 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF42R2C.pdf | |
![]() | PTZ3.9B | PTZ3.9B ROHM SOD106 | PTZ3.9B .pdf | |
![]() | EEFUEOJ181R | EEFUEOJ181R PANASONIC SMD or Through Hole | EEFUEOJ181R.pdf | |
![]() | SN103814DW | SN103814DW TI SOP20 | SN103814DW.pdf | |
![]() | A968B | A968B TOSHIBA TO-220 | A968B.pdf | |
![]() | P80C51FAI | P80C51FAI INTEL DIP | P80C51FAI.pdf | |
![]() | TVB130RSA-L | TVB130RSA-L Raychem DO-214AA | TVB130RSA-L.pdf | |
![]() | D470G25C0GH63J5 | D470G25C0GH63J5 vis SMD or Through Hole | D470G25C0GH63J5.pdf | |
![]() | MX69LW3221ATXBI-70 | MX69LW3221ATXBI-70 MX BGA | MX69LW3221ATXBI-70.pdf |