창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT80N20L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(T,H)80N20L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6160pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT80N20L | |
| 관련 링크 | IXTT80, IXTT80N20L 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GPCN | RELAY | GPCN.pdf | |
![]() | 3404.0012.22 2A/125V | 3404.0012.22 2A/125V SCHURTER 8 3 | 3404.0012.22 2A/125V.pdf | |
![]() | UT6164C32T-7 | UT6164C32T-7 UTRON ORIGINAL | UT6164C32T-7.pdf | |
![]() | ADG836YCPZ-REEL | ADG836YCPZ-REEL AD QFN | ADG836YCPZ-REEL.pdf | |
![]() | F2168VTE33VH8S/2168V | F2168VTE33VH8S/2168V RENESA QFP | F2168VTE33VH8S/2168V.pdf | |
![]() | AS7C31024B-10TJCN | AS7C31024B-10TJCN ALLIANCE SOJ32 | AS7C31024B-10TJCN.pdf | |
![]() | SE5218ALG-LF | SE5218ALG-LF SEAWARD SOT23-5 | SE5218ALG-LF.pdf | |
![]() | NR 6012T 150ME | NR 6012T 150ME ORIGINAL SMD or Through Hole | NR 6012T 150ME.pdf | |
![]() | BZX84J-C4V3.115 | BZX84J-C4V3.115 NXP SMD or Through Hole | BZX84J-C4V3.115.pdf | |
![]() | SBB-0207-470K-5% | SBB-0207-470K-5% BEY SMD or Through Hole | SBB-0207-470K-5%.pdf | |
![]() | W66H | W66H ALJ SOT-23 | W66H.pdf | |
![]() | FL283QVC03-A0T(KD169) | FL283QVC03-A0T(KD169) FOXLINK SMD or Through Hole | FL283QVC03-A0T(KD169).pdf |