창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT80N20L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(T,H)80N20L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6160pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT80N20L | |
| 관련 링크 | IXTT80, IXTT80N20L 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | UPR10/TR7 | DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216 | UPR10/TR7.pdf | |
![]() | AHA80AJB-15R | RES CHAS MNT 15 OHM 5% 80W | AHA80AJB-15R.pdf | |
![]() | AF1210FR-0757K6L | RES SMD 57.6K OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-0757K6L.pdf | |
![]() | RT0402BRD07909RL | RES SMD 909 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD07909RL.pdf | |
![]() | 195.01A | 195.01A N/A SSOP36 | 195.01A.pdf | |
![]() | RD22SL-T1/22 | RD22SL-T1/22 NEC SOT-323 | RD22SL-T1/22.pdf | |
![]() | HY6608B | HY6608B ORIGINAL DIP8 | HY6608B.pdf | |
![]() | 5NB60FP | 5NB60FP ST TO-220F | 5NB60FP.pdf | |
![]() | 39C56V1G | 39C56V1G CSI SMD or Through Hole | 39C56V1G.pdf | |
![]() | MSL0113 | MSL0113 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSL0113.pdf | |
![]() | TLE4771-2G | TLE4771-2G ORIGINAL TO263 | TLE4771-2G.pdf | |
![]() | BC1602BFNFCW13 | BC1602BFNFCW13 BOLYMIN SMD or Through Hole | BC1602BFNFCW13.pdf |