IXYS IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV
제조업체 부품 번호
IXTT3N200P3HV
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
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내부 부품 번호EIS-IXTT3N200P3HV
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 면제 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IXT(H,T)3N200P3HV
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열-
포장튜브
부품 현황신제품
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)2000V(2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8옴 @ 1.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs70nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1860pF @ 25V
전력 - 최대520W
작동 온도*
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA
공급 장치 패키지TO-268
표준 포장 30
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXTT3N200P3HV
관련 링크IXTT3N2, IXTT3N200P3HV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통
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