창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTT3N200P3HV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(H,T)3N200P3HV | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 2000V(2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTT3N200P3HV | |
관련 링크 | IXTT3N2, IXTT3N200P3HV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | A1812 NPO 102 2000V | A1812 NPO 102 2000V ORIGINAL SMD or Through Hole | A1812 NPO 102 2000V.pdf | |
![]() | AGERE40-06075 | AGERE40-06075 ORIGINAL BGA | AGERE40-06075.pdf | |
![]() | 6NK50 | 6NK50 ST TO-252 | 6NK50.pdf | |
![]() | CR20102W2000FT | CR20102W2000FT VKL SMD or Through Hole | CR20102W2000FT.pdf | |
![]() | PCD50924H/C50 | PCD50924H/C50 PHILIPS QFP80 | PCD50924H/C50.pdf | |
![]() | LCMXO1200C-3MN132C | LCMXO1200C-3MN132C Lattice 132CSBGA | LCMXO1200C-3MN132C.pdf | |
![]() | 1206ML150A-LF | 1206ML150A-LF sfi SMD or Through Hole | 1206ML150A-LF.pdf | |
![]() | GT182 | GT182 ORIGINAL SMD or Through Hole | GT182.pdf | |
![]() | A17-150081 | A17-150081 CMD DIP-8 | A17-150081.pdf | |
![]() | WZ | WZ GS/FD DO-214AC | WZ.pdf | |
![]() | MPL135-0R4IT | MPL135-0R4IT DELTA SMD | MPL135-0R4IT.pdf | |
![]() | UPD6600AGS-A89 | UPD6600AGS-A89 NEC SOP-20 | UPD6600AGS-A89.pdf |