창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT1N250HV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTT1N250HV | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 2500V(2.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40옴 @ 750mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 628949 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT1N250HV | |
| 관련 링크 | IXTT1N, IXTT1N250HV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 227AVG035MFBJ | 220µF 35V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 904.29 mOhm 1500 Hrs @ 125°C | 227AVG035MFBJ.pdf | |
![]() | CMF5515R800BHBF | RES 15.8 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5515R800BHBF.pdf | |
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![]() | 65-1310 | 65-1310 GCELECTRONICS SMD or Through Hole | 65-1310.pdf | |
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![]() | LXV25VB182M12X35LL | LXV25VB182M12X35LL NIPPON DIP | LXV25VB182M12X35LL.pdf | |
![]() | N12P-GV1-A1 N10P-GS-A1 | N12P-GV1-A1 N10P-GS-A1 NVIDIA BGA | N12P-GV1-A1 N10P-GS-A1.pdf | |
![]() | AT27C256R-1K4C | AT27C256R-1K4C ORIGINAL SOP | AT27C256R-1K4C.pdf | |
![]() | MD84C54/B | MD84C54/B ORIGINAL SMD or Through Hole | MD84C54/B.pdf | |
![]() | 179861-4 | 179861-4 TYCO SMD or Through Hole | 179861-4.pdf | |
![]() | NLQ25M3R3TRF | NLQ25M3R3TRF NICC SMD | NLQ25M3R3TRF.pdf |