창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTT16N50D2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(H,T)16N50D2 | |
주요제품 | Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 8A, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 199nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 695W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTT16N50D2 | |
관련 링크 | IXTT16, IXTT16N50D2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | PB61302BL-4-101 | PB61302BL-4-101 HIGHLY SMD or Through Hole | PB61302BL-4-101.pdf | |
![]() | RA60H3847M1-101 | RA60H3847M1-101 Mitsubishi SMD or Through Hole | RA60H3847M1-101.pdf | |
![]() | UNAT-30+ | UNAT-30+ MINI SMD or Through Hole | UNAT-30+.pdf | |
![]() | HMK316BJ474KL-T | HMK316BJ474KL-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | HMK316BJ474KL-T.pdf | |
![]() | 35SCGQ060SCX | 35SCGQ060SCX ORIGINAL SMD or Through Hole | 35SCGQ060SCX.pdf | |
![]() | EN29LV640T-90BIP | EN29LV640T-90BIP EON BGA | EN29LV640T-90BIP.pdf | |
![]() | UPC2763T-E3-A | UPC2763T-E3-A NEC SOT163 | UPC2763T-E3-A.pdf | |
![]() | S29GL032A10TFIR1 | S29GL032A10TFIR1 SPANSION TSSOP56 | S29GL032A10TFIR1.pdf | |
![]() | TRD-GK200-RZ | TRD-GK200-RZ KOYO SMD or Through Hole | TRD-GK200-RZ.pdf | |
![]() | LT3759IMSE#PBF | LT3759IMSE#PBF LT MSOP12 | LT3759IMSE#PBF.pdf | |
![]() | 2SC5096-R / M9 | 2SC5096-R / M9 TOSHIBA SOT-423 | 2SC5096-R / M9.pdf | |
![]() | 1812 47R | 1812 47R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812 47R.pdf |